Selon des informations non confirmées, la future puce haut de gamme de Qualcomm, le Snapdragon 8 Elite Gen 2, bénéficierait d’une augmentation de ses fréquences de fonctionnement grâce à l’adoption d’un processus de gravure plus avancé. Les performances rapportées dans des benchmarks suggèrent une augmentation significative par rapport aux appareils actuels.
D’après une fuite d’information provenant du compte Digital Chat Station sur le réseau social Weibo, le Snapdragon 8 Elite Gen 2 verrait ses spécifications techniques améliorées par rapport à son prédécesseur direct, le Snapdragon 8 Elite. Cette évolution serait principalement attribuée à la transition vers le processus de fabrication 3nm de troisième génération de TSMC, connu sous la désignation « N3P ».
Caractéristiques du Snapdragon 8 Elite Gen 2
La nouvelle puce conserverait une architecture de cœurs « 2 + 6 », similaire à celle de la génération précédente. Cependant, le nouveau procédé de gravure permettrait à Qualcomm d’atteindre des fréquences plus élevées.
La rumeur indique que les cœurs de performance du Snapdragon 8 Elite Gen 2 fonctionneraient à une fréquence de 4,60 GHz, ce qui représenterait une augmentation par rapport aux 4,32 GHz du Snapdragon 8 Elite.
Le processeur graphique (GPU) serait également mis à jour. Le nouvel Adreno 840 atteindrait une fréquence de 1,20 GHz, contre 1,10 GHz pour l’Adreno 830 qui équipe la génération actuelle.
Des performances en benchmark remarquables
La source de la rumeur fait également état d’un score AnTuTu qui avoisinerait les 4 millions de points pour le Snapdragon 8 Elite Gen 2. Une précédente information du même informateur mentionnait un score de 3,8 millions.
À titre de comparaison, le smartphone actuellement en tête du classement AnTuTu est l’iQOO 13, avec un score de 2 671 305 points. Si le score de 4 millions se confirmait, cela représenterait une augmentation de performance de 49,68 % par rapport à l’appareil le plus rapide répertorié à ce jour.
Il est spéculé que de telles spécifications pourraient permettre à la puce de dépasser les 10 000 points dans le test multi-cœur de Geekbench 6. Ces informations restent cependant à confirmer, dans l’attente de fuites supplémentaires ou de l’annonce officielle du processeur par Qualcomm, qui pourrait avoir lieu le 23 septembre.
Source : DigitalChatStation
