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UFS 4 : Samsung annonce une nouvelle norme ultra-rapide

Lucas Seillier
Lucas Seillier
Published: 04/05/2022
Last updated: 04/05/2022
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Samsung a dévoilé la version 4.0 de sa solution Universal Flash Storage (UFS). L’entreprise est un grand nom en matière de smartphones et de semi-conducteurs. Elle est également l’un des principaux fabricants de puces mémoire au monde. L’UFS 3.1 de Samsung est déjà très performant, mais la prochaine génération de stockage flash de l’entreprise promet d’énormes gains de vitesse et d’efficacité.

Le nouvel UFS 4.0 a été approuvé par le conseil d’administration du Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC). Samsung affirme qu’elle met en œuvre la dernière spécification de la norme JEDEC dans son nouveau stockage flash.

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Caractéristiques de la Samsung UFS 4.0

Selon l’entreprise, le nouveau stockage UFS devrait améliorer les performances et l’efficacité énergétique des prochains téléphones. L’UFS 4.0 offrira une vitesse allant jusqu’à 23,2 Go/s par voie, soit le double de l’UFS 3.1 précédent. Cette bande passante est parfaite pour les smartphones 5G qui nécessitent d’énormes quantités de traitement de données, indique Samsung.

La nouvelle solution de stockage serait également adoptée dans les futures applications automobiles, la réalité augmentée (AR) et la réalité virtuelle (VR).

L’efficacité énergétique a également été améliorée dans l’UFS 4.0. La nouvelle mémoire offrira une vitesse de lecture séquentielle de 6,0 Mo/s par mA (milliampère), soit une amélioration de 46 % par rapport à la précédente version 3.1 de l’UFS. Cela signifie que les smartphones équipés de l’UFS 4.0 auront une meilleure autonomie et des vitesses de lecture et d’écriture améliorées.

Le dernier UFS 4.0 aura une taille plus petite que le précédent UFS 3.1. Il mesurera 11 mm x 13 mm x 1 mm, ce qui permettra une utilisation plus efficace de l’espace et un design plus pratique. En termes de capacité de stockage, elle sera disponible dans une variété de capacités allant jusqu’à 1 To. La production de masse de la nouvelle mémoire devrait commencer au troisième trimestre 2022.

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