Samsung : La mémoire DDR6 sera presque deux fois plus rapide que la DDR5

Samsung est une entreprise leader dans le domaine des semi-conducteurs. Elle fabrique des capteurs d'appareils photo, des mémoires, des chipsets, du stockage, des batteries, etc. L'entreprise sud-coréenne travaille activement dans toutes ces directions. Mais c'est une chose d'atteindre une percée dans une direction concrète, et une autre de l'apporter aux utilisateurs finaux. Par exemple, récemment, le vice-président de Samsung, Younggwan Ko, a déclaré lors d'un séminaire en Corée du Sud, qu'à mesure que les semi-conducteurs à mémoire deviennent plus puissants, la technologie de conditionnement doit se développer en même temps. À cet égard, il a déclaré que l'application du processus MSAP à ses puces mémoire DDR6 permettra à Samsung de fabriquer des puces avec des circuits plus fins. Les concurrents de Samsung ont déjà utilisé la technologie de conditionnement MSAP pour la mémoire DDR5. Mais Samsung veut faire un pas en avant et l'utiliser pour la DDR6. Les méthodes d'emballage traditionnelles se contentent de recouvrir les zones du circuit et de graver les autres zones. Mais dans l'emballage MSAP, les zones autres que les circuits sont enduites et les zones vierges sont plaquées, ce qui permet d'obtenir des circuits plus fins. En début de semaine, Samsung a lancé sa première puce DRAM GDDR6 à 24 Gbps pour les cartes graphiques. Les rapports correspondants indiquent que la société en est aux premiers stades du développement de la DDR6. Si l'on en croit un rapport publié l'année dernière, Samsung achèvera la conception de la mémoire DDR6 en 2024. La DDR6 devrait être deux fois plus rapide que la DDR5 et comporter deux fois plus de canaux de mémoire. La DDR6 (JEDEC) peut atteindre un taux de transfert d'environ 12800Mbps et supporter un overclocking à 17000Mbps. Actuellement, les DIMM DDR5 les plus rapides de Samsung ont des vitesses de transfert allant jusqu'à 7200 Mbps. En d'autres termes, la DDR6 sera 0,7x plus rapide et la vitesse d'overclocking sera 1,36x plus rapide. Ainsi, le premier smartphone équipé d'une puce mémoire DDR6 pourrait être le Samsung Galaxy S25. Mais il ne faut pas exclure la possibilité que Samsung fournisse d'abord cette mémoire à d'autres fabricants de smartphones.