Une première pour l’industrie ! En effet, Samsung Electronics a développé une mémoire vive dynamique (DRAM) DDR5 de gravé 12 nm en collaboration avec Advanced Micro Devices (AMD).
Cette nouvelle DRAM, dont la production de masse devrait débuter en 2023, devrait faire progresser les capacités de la prochaine génération d’ordinateurs, de centres de données et d’applications d’intelligence artificielle (IA) grâce à ses performances exceptionnelles et à sa plus grande efficacité énergétique.
La DRAM DDR5 12 nm de Samsung fera progresser les centres de données et les applications d’intelligence artificielle
La DRAM DDR5 de 16 Go a été rendue possible grâce à l’utilisation d’une technologie et notamment un nouveau matériau qui augmente la capacité des cellules et grâce à une technologie de conception exclusive qui améliore les caractéristiques des circuits. Ces éléments, combinés à la lithographie multicouche avancée à l’extrême l’ultraviolet extrême (EUV), ont permis d’obtenir la densité la plus élevée du secteur, permettant un gain de 20 % de la productivité des plaquettes.
Tirant parti de la dernière norme DDR5, la DRAM de Samsung en 12 nm offrira des vitesses allant jusqu’à 7,2 Go par seconde. En plus de sa vitesse impressionnante, la nouvelle DRAM se distingue également par son efficacité énergétique. Elle consomme jusqu’à 23 % d’énergie en moins que les DRAM précédentes, ce qui en fait une solution idéale pour les entreprises informatiques mondiales à la recherche de méthode plus respectueuse de l’environnement.
« Notre DRAM de la gamme 12nm sera un élément clé pour favoriser l’adoption de la DRAM DDR5 sur l’ensemble du marché », a déclaré Jooyoung Lee, vice-président exécutif de DRAM Product & Technology chez Samsung Electronics. « Avec des performances et une efficacité énergétique exceptionnelles, nous nous attendons à ce que notre nouvelle DRAM serve de base à des opérations plus durables dans des domaines tels que l’informatique de nouvelle génération, les centres de données et les systèmes axés sur l’IA. »
Le développement de la DRAM DDR5 gravé en 12nm a été rendu possible grâce à l’étroite collaboration avec le partenaire industriel AMD.
« Nous sommes ravis de collaborer une fois de plus avec Samsung, notamment pour le lancement de produits de mémoire DDR5 optimisés et validés sur les plateformes ‘Zen' », a déclaré Joe Macri, vice-président senior, Corporate Fellow, et CTO Client, Compute and Graphics chez AMD.
La production de masse débutera en 2023 ainsi Samsung prévoit d’élargir sa gamme de DRAM basée sur cette technologie de gravure en 12nm à un plus large éventail de marché.
