Le processeur d’application (AP) Exynos 2400 représente une agréable surprise avec son processeur déca-core. Il offre également une accélération matérielle du ray tracing, permettant ainsi d’obtenir des effets d’éclairage plus réalistes dans les jeux vidéo, tels que les ombres, les reflets, les réfractions, les hautes lumières et la lumière rebondissante. Les tests effectués avec Geekbench ont montré que le SoC Exynos 2400 est presque aussi puissant que le SoC Snapdragon 8 Gen 3.
En 2023, tous les modèles Galaxy S23 étaient équipés du chipset Snapdragon 8 Gen 2 pour Galaxy, Samsung n’ayant pas produit en masse l’Exynos 2300. Cette année, avec la capacité de l’Exynos 2400 à piloter des modèles phares, Samsung a déployé l’AP sur les Galaxy S24 et Galaxy S24+ dans la plupart des marchés, à l’exception des États-Unis et de la Chine. Dans ces pays, les deux modèles étaient équipés du Snapdragon 8 Gen 3 pour Galaxy. Cette dernière puce a également été utilisée sur tous les Galaxy S24 Ultra, indépendamment de leur lieu de vente.
Le Exynos 2400 pourrait intégrer le futur Samsung Galaxy S25
Selon Wccftech, Samsung devrait adopter une stratégie similaire pour sa série phare Galaxy S25 l’année prochaine. Cela signifie que l’on devrait retrouver l’Exynos 2500 AP dans les Galaxy S25 et Galaxy S25+ sur tous les marchés, à l’exception des États-Unis et de la Chine. Dans ces pays, le Snapdragon 8 Gen 4 pour Galaxy AP devrait équiper ces modèles, ainsi que tous les Galaxy S25 Ultra.
Le SoC Exynos 2400 est construit par Samsung Foundry en utilisant son processus de fabrication en 4 nm. Les premières rumeurs indiquent que le SoC Exynos 2500 sera fabriqué par Samsung Foundry en utilisant son processus de deuxième génération en 3 nm. Un leaker bien connu sous le pseudonyme « X », nommé PandaFlash, affirme que grâce à l’utilisation du processus en 3 nm de deuxième génération par Samsung Foundry pour produire l’Exynos 2500, l’AP sera plus économe en énergie que le Snapdragon 8 Gen 4, qui sera probablement fabriqué en utilisant le processus en 3 nm de deuxième génération de TSMC.
Une disponibilité prévue pour fin 2024
Il existe en effet une différence significative entre le nœud 3nm de deuxième génération de Samsung Foundry et celui de TSMC, ce qui pourrait permettre au SoC Exynos 2500 d’être plus économe en énergie que le SoC Snapdragon 8 Gen 4. Cette différence réside dans l’utilisation par Samsung Foundry de transistors Gate-All-Around (GAA), où la grille entoure le canal sur les quatre côtés. Cela limite les fuites et augmente le courant d’entraînement.TSMC n’adopte pas les transistors GAA avant de commencer à produire à 2 nm, prévu pour le second semestre de l’année prochaine.
Jusqu’à ce moment-là, ses puces de deuxième génération en 3 nm continueront d’utiliser des transistors FinFET, y compris pour des AP tels que le prochain Snapdragon 8 Gen 4, ainsi que l’A18 Pro et l’A18 Bionic, qui équiperont respectivement la série iPhone 16 Pro et les modèles iPhone 16 non Pro. Les transistors FinFET permettent à la grille de ne couvrir que trois canaux.Il est rapporté que le chipset Snapdragon 8 Gen 4 rencontre des problèmes de consommation d’énergie, nécessitant l’utilisation de batteries plus grandes, d’environ 5500 mAh, pour compenser ce problème. Cependant, même le chipset Exynos 2500 n’est pas garanti sans problème. Samsung a rencontré des difficultés passées en matière de rendement.
Auparavant, Samsung Foundry avait un rendement médiocre de 20 % pour la production en 3 nm. Il est rapporté que ce rendement a été amélioré à 60 %, ce qui, s’il est vrai, représente une amélioration significative.Il est à noter que l’Exynos 2500 et le Snapdragon 8 Gen 4 ne seront pas introduits avant la fin de l’année.